LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning hvilket gør det fleksibelt i

hvilket gør det fleksibelt i brug og nemt at tilpasse forskellige installationssituationer

hvilket mindsker behovet for hyppige udskiftninger og dermed sparer tid og ressourcer i det daglige arbejde

hvor der er behov for at beskytte pumper

som erstatter traditionelle 120W glødepærer

LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning hvilket gør det fleksibelt iLSK170B er en N kanal Junction Field Effect Transistor (N JFET) designet til applikationer med lav spnding og strm. Med en maksimal drain source spnding p 40V og en drain strm p op til 10mA, sikrer denne transistor en plidelig styring af signaler og strmme i elektroniske kredslb. Den effektbegrnsning p 0,4W gr den velegnet til lav effekt applikationer, hvor plads og varmeudvikling er kritiske faktorer. Prcis styring med N JFET teknologi LSK170B